GC190N65FF Goford Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 55.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC190N65FF Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції GC190N65FF за ціною від 132.06 грн до 211.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GC190N65FF | Виробник : Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|