
GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 910.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 79, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції GC20MPS12-220
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GC20MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
GC20MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GC20MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
GC20MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
GC20MPS12-220 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GC20MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 94A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GC20MPS12-220 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 20A |
товару немає в наявності |