GC20N65F Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1603 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 321.58 грн |
| 10+ | 204.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC20N65F Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 40W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Power dissipation: 40W, Case: TO220F, Mounting: THT, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Gate-source voltage: ±30V, Gate charge: 39nC, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції GC20N65F за ціною від 90.37 грн до 90.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GC20N65F | GOFORD Semiconductor |
Small Package MOSFET |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GC20N65F |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
Small Package MOSFET
Small Package MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 90.37 грн |