Технічний опис GC20N65Q Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Power dissipation: 151W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 39nC.
Інші пропозиції GC20N65Q за ціною від 375.80 грн до 375.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GC20N65Q | Goford Semiconductor |
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GC20N65Q |
![]() |
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 375.80 грн |




