Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GC20N65T
GC20N65T

GC20N65T Goford Semiconductor

GC20N65T.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+87.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GC20N65T Goford Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Power dissipation: 151W, Case: TO220, Mounting: THT, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Gate-source voltage: ±30V, Gate charge: 39nC, Polarisation: unipolar.

Інші пропозиції GC20N65T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GC20N65T GC20N65T GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Power dissipation: 151W
Case: TO220
Mounting: THT
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65T GC20N65T.pdf
GC20N65T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Power dissipation: 151W
Case: TO220
Mounting: THT
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.