Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GC210N80FE

GC210N80FE Goford Semiconductor

Name: GC210N80FE
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 75651843-3
Price: 319.50 UAH
Availability: InStock

Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 380 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	319.50 грн
10+	203.92 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GC210N80FE Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 380 V.

Інші пропозиції GC210N80FE

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	GC210N80FE	Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 51W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Technology: SJ-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 51W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 50nC Version: ESD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.