GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 20A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GC2X10MPS12-247
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GC2X10MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3 |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GC2X10MPS12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)