GC2X10MPS12-247

GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DDC0C7&compId=GC2X10MPS12-247.pdf?ci_sign=e075ca835a1a5ec526ae3d81441dbc12a96a6763 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 80nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції GC2X10MPS12-247 за ціною від 640.15 грн до 1397.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DDC0C7&compId=GC2X10MPS12-247.pdf?ci_sign=e075ca835a1a5ec526ae3d81441dbc12a96a6763 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 Виробник : GENESIC 2720501.pdf Description: GENESIC - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1397.07 грн
5+1326.69 грн
10+1254.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 Виробник : GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247-1535202.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc2x10mps12-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc2x10mps12-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 Виробник : GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.