GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 700.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 66nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GC2X8MPS12-247 за ціною від 840.23 грн до 1060.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GC2X8MPS12-247 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.5V Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 60A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GC2X8MPS12-247 | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 66nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GC2X8MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
| GC2X8MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
GC2X8MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |