Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GC300N65F
GC300N65F

GC300N65F Goford Semiconductor

GC300N65F.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,13A,33W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GC300N65F Goford Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 33W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 13A, Power dissipation: 33W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Gate charge: 23nC, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції GC300N65F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GC300N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC300N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 33W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 33W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC300N65F GC300N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 33W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 33W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.