Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GC380N60D5E

GC380N60D5E Goford Semiconductor

Name: GC380N60D5E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 81396025-3
Price: 23930.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,82W,8-DFN (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	47.86 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GC380N60D5E Goford Semiconductor

Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,82W,8-DFN (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Power Dissipation (Max): 82W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V.

Інші пропозиції GC380N60D5E

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	GC380N60D5E	Виробник : Goford Semiconductor	Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,82W,8-DFN ( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.