GC380N60FE Goford Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 30.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC380N60FE Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,31W,TO-220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V.
Інші пропозиції GC380N60FE за ціною від 90.77 грн до 147.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GC380N60FE | Виробник : Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,31W,TO-220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| GC380N60FE | Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 31W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Technology: SJ-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 31W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |