GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 212A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GC50MPS12-247
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GC50MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 212A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|
|
|
GC50MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 212A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|
 |
GC50MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 212A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |