GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18453.60 грн |
| 10+ | 16793.91 грн |
| 25+ | 16420.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 50A, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GC50MPS33H за ціною від 14711.28 грн до 18549.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GC50MPS33H | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GC50MPS33H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18549.70 грн |
| 10+ | 17280.13 грн |
| 30+ | 14711.28 грн |