GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 19175.21 грн |
| 10+ | 17450.63 грн |
| 25+ | 17062.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 50A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V.
Інші пропозиції GC50MPS33H за ціною від 15898.01 грн до 20046.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GC50MPS33H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|