GCMX020A120B2B1P SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 385W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GCMX020A120B2B1P SemiQ
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 102A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 385W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA.
Інші пропозиції GCMX020A120B2B1P за ціною від 2954.36 грн до 4417.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GCMX020A120B2B1P | Виробник : SemiQ |
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|