GCMX080A120B2H1P SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 119W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GCMX080A120B2H1P SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Power - Max: 119W (Tc), Technology: Silicon Carbide (SiC), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції GCMX080A120B2H1P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GCMX080A120B2H1P | SemiQ |
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GCMX080A120B2H1P |
|
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)