на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3028.47 грн |
| 10+ | 2495.64 грн |
| 40+ | 2170.13 грн |
| 100+ | 1885.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GCMX080A120B2H1P SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 119W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA.
Інші пропозиції GCMX080A120B2H1P за ціною від 3064.83 грн до 3064.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GCMX080A120B2H1P | Виробник : SemiQ |
 Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27APackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|