| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3410.62 грн |
| 10+ | 2868.06 грн |
| 40+ | 2493.96 грн |
| 100+ | 2086.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GCMX080A120B2H1P SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 119W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA.
Інші пропозиції GCMX080A120B2H1P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GCMX080A120B2H1P | SemiQ |
 Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27APackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| GCMX080A120B2H1P |
|
Виробник: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.