Продукція > SEMIQ > GCMX080A120B2T1P
GCMX080A120B2T1P

GCMX080A120B2T1P SemiQ

GCMX080A120B2T1P.pdf Виробник: SemiQ
Description: 1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 103W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2613.32 грн
10+1870.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GCMX080A120B2T1P SemiQ

Description: 1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 103W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA.

Інші пропозиції GCMX080A120B2T1P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GCMX080A120B2T1P GCMX080A120B2T1P Виробник : SemiQ GCMX080A120B2T1P.pdf MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.