GCMX080A120B2T1P SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: 1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 103W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GCMX080A120B2T1P SemiQ
Description: 1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Power - Max: 103W (Tc), Technology: Silicon Carbide (SiC), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції GCMX080A120B2T1P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GCMX080A120B2T1P | SemiQ |
MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GCMX080A120B2T1P |
|
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.