GCMX080B120S1-E1 SemiQ
Виробник: SemiQDescription: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1420.27 грн |
| 10+ | 980.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GCMX080B120S1-E1 SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції GCMX080B120S1-E1 за ціною від 1094.26 грн до 1883.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GCMX080B120S1-E1 | Виробник : SemiQ |
MOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227 |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|