GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 350.26 грн |
| 10+ | 300.19 грн |
| 25+ | 286.82 грн |
| 100+ | 251.24 грн |
| 250+ | 239.87 грн |
| 500+ | 231.50 грн |
| 1000+ | 220.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 15A, Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GD05MPS17H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD05MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GD05MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


