GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 372.57 грн |
| 10+ | 319.31 грн |
| 25+ | 305.09 грн |
| 100+ | 267.24 грн |
| 250+ | 255.15 грн |
| 500+ | 246.24 грн |
| 1000+ | 234.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GD05MPS17H за ціною від 245.14 грн до 405.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD05MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD05MPS17H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO247-2; tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 5A Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 40A Max. load current: 21A Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT |
товару немає в наявності |