GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR


Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1kA
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 8 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.7kV, Collector current: 1kA, Case: P2.0, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 2kA, Technology: Trench FS IGBT, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 8 шт.

Інші пропозиції GD1000HFX170P2S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GD1000HFX170P2S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1kA
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній