GD100HFX170C1S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3336.46 грн |
| 5+ | 3160.46 грн |
| 10+ | 2990.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD100HFX170C1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 168A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 632W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 632W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 168A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD100HFX170C1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD100HFX170C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A кількість в упаковці: 24 шт |
товар відсутній |
||
| GD100HFX170C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A |
товар відсутній |