GD100MLX65L3S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 451W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4381.21 грн |
| 5+ | 4162.52 грн |
| 10+ | 3856.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD100MLX65L3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 160A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 451W, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції GD100MLX65L3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD100MLX65L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Case: L3.1 Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A кількість в упаковці: 16 шт |
товар відсутній |
||
| GD100MLX65L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Case: L3.1 Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A |
товар відсутній |