GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR


Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Case: D6
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: single transistor, Case: D6, Type of semiconductor module: IGBT, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Pulsed collector current: 200A, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Topology: single transistor, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції GD100SGY120D6S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD100SGY120D6S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Case: D6
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.