GD10MPS12A GENESIC
Виробник: GENESICDescription: GENESIC - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 249.94 грн |
| 10+ | 220.33 грн |
| 100+ | 192.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD10MPS12A GENESIC
Description: GENESIC - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 32nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GD10MPS12A за ціною від 171.27 грн до 303.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |

