GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor


GD10MPS12E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+155.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-252-2, Current - Average Rectified (Io): 29A, Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції GD10MPS12E за ціною від 145.94 грн до 250.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.95 грн
10+204.78 грн
25+194.35 грн
100+168.98 грн
250+160.44 грн
500+154.34 грн
1000+146.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.91 грн
10+217.62 грн
25+179.46 грн
100+166.19 грн
250+157.81 грн
500+152.22 грн
1000+145.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+241.95 грн
10+204.78 грн
25+194.35 грн
100+168.98 грн
250+160.44 грн
500+154.34 грн
1000+146.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+250.91 грн
10+217.62 грн
25+179.46 грн
100+166.19 грн
250+157.81 грн
500+152.22 грн
1000+145.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.