на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 313.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 32nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GD10MPS12H за ціною від 208.69 грн до 372.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD10MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD10MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD10MPS12H | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD10MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
GD10MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| GD10MPS12H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.9V кількість в упаковці: 600 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| GD10MPS12H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.9V |
товару немає в наявності |