GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 42A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 537.67 грн |
| 3+ | 470.69 грн |
| 30+ | 439.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 26A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GD10MPS17H за ціною від 354.72 грн до 571.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GD10MPS17H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 571.89 грн |
| 10+ | 503.49 грн |
| 30+ | 418.97 грн |
| 120+ | 391.73 грн |
| 270+ | 374.97 грн |
| 510+ | 362.41 грн |
| 1020+ | 354.72 грн |