Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD10MPS17H
GD10MPS17H

GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor

gd10mps17h.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+514.88 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 26A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.

Інші пропозиції GD10MPS17H за ціною від 354.20 грн до 926.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD10MPS17H GD10MPS17H Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.22 грн
3+458.24 грн
30+441.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+558.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.04 грн
10+502.74 грн
30+418.34 грн
120+391.15 грн
270+374.42 грн
510+361.87 грн
1020+354.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+598.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+926.44 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.