GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1200+ | 493.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 26A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GD10MPS17H за ціною від 387.95 грн до 888.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Max. load current: 42A Features of semiconductor devices: MPS |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Max. load current: 42A Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
товару немає в наявності |