GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR



Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2434.93 грн
3+1999.84 грн
10+1798.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Verlustleistung: 79W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 20A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції GD10PJX65F1S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER 3789517.pdf Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 79W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S 3789517.pdf
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 79W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.