GD10PJX65F1S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2284.11 грн |
| 5+ | 2157.66 грн |
| 10+ | 2021.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD10PJX65F1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 20A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD10PJX65F1S за ціною від 1802.37 грн до 2440.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD10PJX65F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A Mechanical mounting: screw Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 650V Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: F1.1 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Type of semiconductor module: IGBT |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| GD10PJX65F1S |
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Mechanical mounting: screw
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Mechanical mounting: screw
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2440.36 грн |
| 3+ | 2004.29 грн |
| 10+ | 1802.37 грн |