GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1854.42 грн |
| 2+ | 1627.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 20A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD10PJX65F1S за ціною від 2028.61 грн до 2419.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD10PJX65F1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A Case: F1.1 Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GD10PJX65F1S | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|