GD1200HFY120C3S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 8.196kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.196kW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.23kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 29976.46 грн |
| 5+ | 29703.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD1200HFY120C3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 8.196kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.196kW, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 2.23kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD1200HFY120C3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD1200HFY120C3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Advanced Trench FS IGBT кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||
| GD1200HFY120C3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Advanced Trench FS IGBT |
товар відсутній |