GD1200SGX170C3SN STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.2kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD1200SGX170C3SN STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 1.2kA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 1.2kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD1200SGX170C3SN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD1200SGX170C3SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw Type of semiconductor module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 2.4kA Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C3 130mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Topology: IGBT x2 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| GD1200SGX170C3SN |
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C3 130mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Topology: IGBT x2
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C3 130mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Topology: IGBT x2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.


