GD1200SGX170C3SN STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28284.64 грн |
| 5+ | 27230.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD1200SGX170C3SN STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 1.2kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD1200SGX170C3SN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD1200SGX170C3SN | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT x2 Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Trench FS IGBT кількість в упаковці: 8 шт |
товар відсутній |
||
| GD1200SGX170C3SN | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT x2 Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Trench FS IGBT |
товар відсутній |