
GD1400HFX170P2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 9.37kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.37kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.342kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 46344.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD1400HFX170P2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 9.37kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 9.37kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 2.342kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD1400HFX170P2S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
GD1400HFX170P2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD1400HFX170P2S IGBT modules |
товару немає в наявності |