GD1400HFX170P2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 9.37kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.37kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.342kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45838.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD1400HFX170P2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 9.37kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 9.37kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 2.342kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD1400HFX170P2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD1400HFX170P2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A Case: P2.0 Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 2.8kA Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.4kA Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 8 шт |
товар відсутній |
||
| GD1400HFX170P2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A Case: P2.0 Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 2.8kA Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.4kA Topology: IGBT half-bridge |
товар відсутній |