GD150HFX65C1S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 437W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 437W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 180A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4184.23 грн |
| 5+ | 3881.91 грн |
| 10+ | 3527.93 грн |
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Технічний опис GD150HFX65C1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 437W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 437W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 180A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 180A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.