GD150HFY120C1S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3793.3 грн |
| 5+ | 3630.04 грн |
| 10+ | 3402.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD150HFY120C1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Dauer-Kollektorstrom: 230A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 746W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 746W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 230A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD150HFY120C1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD150HFY120C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 24 шт |
товар відсутній |
||
| GD150HFY120C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 1.2kV |
товар відсутній |