GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 63A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 36A, Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GD15MPS17H за ціною від 498.57 грн до 764.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 36A Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GD15MPS17H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 745.50 грн |
| 10+ | 647.31 грн |
| 25+ | 621.51 грн |
| 100+ | 548.18 грн |
| 250+ | 525.80 грн |
| 500+ | 510.07 грн |
| GD15MPS17H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 764.15 грн |
| 10+ | 653.66 грн |
| 30+ | 536.97 грн |
| 120+ | 520.22 грн |
| 270+ | 498.57 грн |