GD15PJY120L2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 173 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 173W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2356.75 грн |
| 5+ | 2295.78 грн |
| 10+ | 2180.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD15PJY120L2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 173 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 30A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 173W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD15PJY120L2S за ціною від 1818.83 грн до 2954.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD15PJY120L2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: L2.2 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
GD15PJY120L2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: L2.2 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|