
GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Load current: 29A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 128A
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.9V
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 363.95 грн |
4+ | 291.97 грн |
9+ | 275.88 грн |
100+ | 270.52 грн |
250+ | 265.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 42A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GD20MPS12A за ціною від 299.49 грн до 508.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 67A Load current: 29A Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 128A Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Max. forward voltage: 1.9V Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |