Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD20MPS12A
GD20MPS12A

GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor

gd20mps12a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+275.00 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 42A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GD20MPS12A за ціною від 275.41 грн до 446.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+287.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+388.64 грн
10+338.22 грн
25+323.96 грн
50+311.37 грн
100+300.46 грн
250+293.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.04 грн
10+379.86 грн
25+363.26 грн
100+319.09 грн
250+305.38 грн
500+295.41 грн
1000+281.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.58 грн
10+394.50 грн
25+327.70 грн
100+306.78 грн
250+293.54 грн
500+284.47 грн
1000+275.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.