GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 399.18 грн |
| 10+ | 347.13 грн |
| 25+ | 332.00 грн |
| 50+ | 319.40 грн |
| 100+ | 308.47 грн |
| 250+ | 295.02 грн |
| 1000+ | 292.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 42A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GD20MPS12A за ціною від 275.82 грн до 447.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GD20MPS12A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 440.70 грн |
| 10+ | 380.43 грн |
| 25+ | 363.80 грн |
| 100+ | 319.57 грн |
| 250+ | 305.84 грн |
| 500+ | 295.85 грн |
| 1000+ | 281.79 грн |
| GD20MPS12A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 447.25 грн |
| 10+ | 395.08 грн |
| 25+ | 328.19 грн |
| 100+ | 307.24 грн |
| 250+ | 293.97 грн |
| 500+ | 284.90 грн |
| 1000+ | 275.82 грн |