Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD20MPS12A
GD20MPS12A

GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor

gd20mps12a.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+263.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 42A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GD20MPS12A за ціною від 275.66 грн до 499.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+275.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.35 грн
4+304.67 грн
9+287.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.44 грн
10+400.05 грн
25+382.57 грн
100+336.06 грн
250+321.62 грн
500+311.11 грн
1000+296.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.13 грн
10+432.09 грн
25+358.93 грн
100+336.02 грн
250+321.51 грн
500+311.58 грн
1000+301.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.62 грн
4+379.67 грн
9+345.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.