Продукція > STARPOWER > GD2400SGX170C4S
GD2400SGX170C4S

GD2400SGX170C4S STARPOWER


3665577.pdf Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD2400SGX170C4S - IGBT-Modul, Einfach, 2.4 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.4kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+57539.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD2400SGX170C4S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD2400SGX170C4S - IGBT-Modul, Einfach, 2.4 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 2.4kA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 2.4kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції GD2400SGX170C4S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD2400SGX170C4S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 2.4kA
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 4.8kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2400SGX170C4S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 2.4kA
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 4.8kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.