GD25B128EWIGR

GD25B128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited


2023__Gde.pdf
Виробник: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.21 грн
10+136.80 грн
25+132.89 грн
50+121.92 грн
100+119.12 грн
250+115.41 грн
500+110.77 грн
1000+108.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD25B128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 128Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR (SLC), Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-WSON (5x6), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70µs, 2.4ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, Access Time: 7 ns, Memory Organization: 16M x 8.

Інші пропозиції GD25B128EWIGR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD25B128EWIGR Виробник : Gigadevice 2023__Gde.pdf Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI - Quad I/O,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD25B128EWIGR GD25B128EWIGR Виробник : GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 2023__Gde.pdf Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD25B128EWIGR GD25B128EWIGR Виробник : GigaDevice DS_00594_GD25B128E_Rev1.0.pdf NOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.