GD25LE64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (3x4)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 8M x 8
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD25LE64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V, Technology: FLASH - NOR (SLC), Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-USON (3x4), Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, Access Time: 6 ns, Memory Organization: 8M x 8.
Інші пропозиції GD25LE64ENIGR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GD25LE64ENIGR | Виробник : GigaDevice |
![]() |
товару немає в наявності |