GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3455.06 грн |
| 10+ | 3053.25 грн |
| 25+ | 2950.51 грн |
| 100+ | 2629.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GD2X100MPS06N за ціною від 3226.84 грн до 7878.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3785.74 грн |
| 10+ | 3522.67 грн |
| 30+ | 3478.36 грн |
| 100+ | 3226.84 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3785.74 грн |
| 10+ | 3522.67 грн |
| 30+ | 3478.36 грн |
| 100+ | 3226.84 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 7878.52 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



