Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD2X100MPS06N
GD2X100MPS06N

GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor

GD2X100MPS06N.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3440.74 грн
10+3040.60 грн
25+2938.29 грн
100+2618.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V.

Інші пропозиції GD2X100MPS06N за ціною від 2597.73 грн до 7755.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N-2308012.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3606.22 грн
10+3261.87 грн
30+2742.04 грн
100+2603.97 грн
250+2597.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD2X100MPS06N.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.44kA
Kind of package: tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3614.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3726.72 грн
10+3467.76 грн
30+3424.13 грн
100+3176.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3726.72 грн
10+3467.76 грн
30+3424.13 грн
100+3176.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+7755.70 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N.pdf Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.