
GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 3257.93 грн |
10+ | 3031.54 грн |
30+ | 2993.40 грн |
100+ | 2776.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GD2X100MPS06N за ціною від 2757.29 грн до 6780.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Max. forward voltage: 1.8V Load current: 108A x2 Max. load current: 231A Max. forward impulse current: 0.44kA Max. off-state voltage: 650V |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Max. forward voltage: 1.8V Load current: 108A x2 Max. load current: 231A Max. forward impulse current: 0.44kA Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |