Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GD2X20MPS12D за ціною від 557.84 грн до 809.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GD2X20MPS12D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 557.84 грн |
| GD2X20MPS12D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 809.76 грн |
| 10+ | 705.49 грн |
| 25+ | 677.33 грн |
| 100+ | 598.40 грн |
| GD2X20MPS12D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)