Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD2X30MPS06N
GD2X30MPS06N

GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1558.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції GD2X30MPS06N за ціною від 1402.83 грн до 2266.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1870.66 грн
10+1790.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N.pdf SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2084.06 грн
10+1756.10 грн
30+1526.26 грн
100+1402.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2120.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GENESIC 3163705.pdf Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2198.11 грн
5+2035.25 грн
10+1871.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2260.37 грн
25+2010.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2266.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1567.71 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N.pdf Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.