GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2113.39 грн |
| 10+ | 1780.81 грн |
| 30+ | 1547.74 грн |
| 100+ | 1422.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GD2X30MPS06N за ціною від 1608.48 грн до 2325.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
GD2X30MPS06N | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD2X30MPS06N Diode modules |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
|
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MPPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товару немає в наявності |


