Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD2X30MPS06N
GD2X30MPS06N

GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 60A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1497.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції GD2X30MPS06N за ціною від 1357.01 грн до 2212.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1788.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1797.43 грн
10+1724.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1916.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N-3479686.pdf SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2002.85 грн
10+1680.61 грн
100+1363.02 грн
250+1357.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GENESIC 3163705.pdf Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2101.05 грн
5+2008.38 грн
10+1915.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2212.28 грн
25+1968.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1534.35 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N.pdf Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.