GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2536.09 грн |
| 10+ | 2072.98 грн |
| 30+ | 1796.34 грн |
| 100+ | 1704.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GD2X60MPS06N за ціною від 1904.90 грн до 2583.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X60MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GD2X60MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GD2X60MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GD2X60MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| GD2X60MPS06N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 60Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 60A x2 Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 176A Max. forward impulse current: 0.336kA Kind of package: tube Reverse recovery time: 10ns Type of semiconductor module: diode Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |