GD300HFU120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Dauer-Kollektorstrom: 395
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3
Verlustleistung Pd: 1.984
Verlustleistung: 1.984
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 395
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD300HFU120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3, Dauer-Kollektorstrom: 395, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3, Verlustleistung Pd: 1.984, Verlustleistung: 1.984, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 395, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції GD300HFU120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Technology: NPT Ultra Fast IGBT Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| GD300HFU120C2S |
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.