GD300HFU120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Dauer-Kollektorstrom: 395
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3
Verlustleistung Pd: 1.984
Verlustleistung: 1.984
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 395
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8325.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD300HFU120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3, Dauer-Kollektorstrom: 395, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3, Verlustleistung Pd: 1.984, Verlustleistung: 1.984, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 395, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції GD300HFU120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFU120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: C2 62mm Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
||
| GD300HFU120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: C2 62mm Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |