GD300HFX170C6S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10403.32 грн |
| 5+ | 10257.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD300HFX170C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85, Dauer-Kollektorstrom: 493, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85, Verlustleistung Pd: 1.829, Verlustleistung: 1.829, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 493, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції GD300HFX170C6S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFX170C6S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Technology: Trench FS IGBT Case: C6 62mm Collector current: 300A Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: Press-in PCB; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||
| GD300HFX170C6S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Technology: Trench FS IGBT Case: C6 62mm Collector current: 300A Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: Press-in PCB; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |