GD300HFX65C6S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 343A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7806.72 грн |
| 5+ | 7371.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD300HFX65C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 819W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 819W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 343A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 343A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD300HFX65C6S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 650V Technology: Trench FS IGBT Electrical mounting: Press-in PCB; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| GD300HFX65C6S |
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.


