GD300HFX65C8SN STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX65C8SN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 343A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5498.98 грн |
| 5+ | 5262.17 грн |
| 10+ | 4932.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD300HFX65C8SN STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX65C8SN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 343A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 819W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 819W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 343A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD300HFX65C8SN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFX65C8SN | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Technology: Trench FS IGBT Case: C8 48mm Collector current: 300A Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 16 шт |
товар відсутній |
||
| GD300HFX65C8SN | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Technology: Trench FS IGBT Case: C8 48mm Collector current: 300A Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |