GD300HFY120C6S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 1.613
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 480
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD300HFY120C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2, Verlustleistung Pd: 1.613, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 480, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції GD300HFY120C6S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: Advanced Trench FS IGBT Electrical mounting: Press-in PCB; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| GD300HFY120C6S |
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.