GD300HTY120C7S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 483 A, 1.7 V, 1.612 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.612kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.612kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 483A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 483A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18020.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD300HTY120C7S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 483 A, 1.7 V, 1.612 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 1.612kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.612kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 483A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 483A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD300HTY120C7S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HTY120C7S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7 Case: C7 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: Advanced Trench FS IGBT Electrical mounting: Press-in PCB; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor кількість в упаковці: 8 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD300HTY120C7S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7 Case: C7 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: Advanced Trench FS IGBT Electrical mounting: Press-in PCB; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor |
товару немає в наявності |