Продукція > STARPOWER > GD300HTY120C7S
GD300HTY120C7S

GD300HTY120C7S STARPOWER


3123037.pdf Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 483 A, 1.7 V, 1.612 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 483A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.612kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.612kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 483A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+21976.51 грн
5+ 21156.26 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD300HTY120C7S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD300HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 483 A, 1.7 V, 1.612 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 483A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 1.612kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.612kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 483A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції GD300HTY120C7S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GD300HTY120C7S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C7
Collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 8 шт
товар відсутній
GD300HTY120C7S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C7
Collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній