GD300SGY120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD300SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 600 A, 1.7 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5098.38 грн |
| 5+ | 4829.60 грн |
| 10+ | 4570.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD300SGY120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 600 A, 1.7 V, 2.941 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2.941kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.941kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції GD300SGY120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300SGY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Case: C2 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: Advanced Trench FS IGBT Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: single transistor Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD300SGY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Case: C2 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: Advanced Trench FS IGBT Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: single transistor Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |