GD300SGY120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 600 A, 1.7 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: STARPOWER - GD300SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 600 A, 1.7 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4477.78 грн |
5+ | 4241.71 грн |
10+ | 4013.86 грн |
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Технічний опис GD300SGY120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 600 A, 1.7 V, 2.941 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2.941kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.941kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції GD300SGY120C2S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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GD300SGY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Topology: single transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Case: C2 62mm Collector current: 300A Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
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GD300SGY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Topology: single transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Case: C2 62mm Collector current: 300A Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |