GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 387.74 грн |
| 10+ | 331.84 грн |
| 25+ | 317.21 грн |
| 100+ | 277.06 грн |
| 250+ | 264.68 грн |
| 500+ | 255.74 грн |
| 1000+ | 242.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 33A; TO220-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 33A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: MPS, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.8V, Max. load current: 86A, Max. forward impulse current: 0.168kA, Kind of package: tube.
Інші пропозиції GD30MPS06A за ціною від 239.64 грн до 397.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD30MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 7912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GD30MPS06A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 397.99 грн |
| 10+ | 348.54 грн |
| 25+ | 288.98 грн |
| 100+ | 269.95 грн |
| 250+ | 257.26 грн |
| 500+ | 248.10 грн |
| 1000+ | 239.64 грн |